[17p-F214-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[17p-F214-2] Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface

〇(M1)Shunji Goto¹, Akihiro Ohtake², Akira Akaishi¹, Jun Nakamura¹ (1.UEC-Tokyo, 2.NIMS)

Keywords:surface reconstruction, III-V-group compound semiconductors, first-principles calculation

GaAs表面のSeによる不動態化は古くから議論されてきた。最近、Se処理されたGaAs(111)B 表面の新たな構造(As/Se 終端)モデルが提案された。本研究では、このモデルの構造安定性について、第一原理計算を用いて生成エネルギーの観点から議論する。表面の状態相図から、提案されているAs/Se終端表面は安定構造であることがわかった。一方，エレクトロンカウンティング則を満たさないSeによる完全終端表面も安定構造として存在し得ることがわかった。