2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年3月17日(土) 13:45 〜 17:30 F214 (61-214)

喜多 隆(神戸大)、若原 昭浩(豊橋技科⼤)

14:15 〜 14:30

[17p-F214-3] GaP系III-V-N混晶の導電性制御にむけたGeドーパントの検討

田中 俊介1、山根 啓輔1、後藤 聖也1、関口 寛人1、岡田 浩1、若原 昭浩1 (1.豊橋技科大院・工)

キーワード:半導体、結晶成長、Ge添加

GaP系III-V/Si多接合太陽電池は大面積かつ高効率を実現すると期待されている。これまで用いてきたn型ドーパントのSは蒸気圧が高く、残留キャリアとして取り込まれる問題がある。新規n型添加材料としてGeを用い、MBEを用いてGe添加GaP(N)を作製し評価した。Ge添加GaPはn型の伝導性を示し、キャリアが増加することを確認した。Ge添加GaPNは構造欠陥なく結晶成長でき、伝導型はp型であったがGe添加量によりキャリア濃度の制御ができた。