[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-3] GaP系III-V-N混晶の導電性制御にむけたGeドーパントの検討

〇田中 俊介¹、山根 啓輔¹、後藤 聖也¹、関口 寛人¹、岡田 浩¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大院・工)

キーワード：半導体、結晶成長、Ge添加

GaP系III-V/Si多接合太陽電池は大面積かつ高効率を実現すると期待されている。これまで用いてきたn型ドーパントのSは蒸気圧が高く、残留キャリアとして取り込まれる問題がある。新規n型添加材料としてGeを用い、MBEを用いてGe添加GaP(N)を作製し評価した。Ge添加GaPはn型の伝導性を示し、キャリアが増加することを確認した。Ge添加GaPNは構造欠陥なく結晶成長でき、伝導型はp型であったがGe添加量によりキャリア濃度の制御ができた。