[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-5] MOVPEによるSi(100)基板上のGaP成長 : Si表面再構成プロセス条件の検討

〇岡田 哲明¹、金 ボラム¹、Supplie Oliver²、Pasazuk Agnieszka²、Hannappel Thomas²、中野 義明¹、杉山 正和¹ (1.東大、2.イルマニア工大)

キーワード：有機金属気相成長法、反射率異方性分光、ダブルステップ

極性のないⅣ族のSiの基板上に極性を持ったⅢ-Ⅴ族化合物半導体層を集積する際にはAntiphase Domain (APD)由来の転位が顕著になりデバイス性能の低下を招く。APDの抑制にはⅢ-Ⅴ族物質の製膜前にSi基板表面をシングルドメインのダブルステップにする必要である。本研究では有機金属気相成長法（MOVPE）を用いシングルドメインを得るためにSi(100)表面の再構成条件の最適化を目標としている。表面の評価法としては反射率異方性分光(RAS)によるin situ観測を用いた