[17p-F314-1~13] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[17p-F314-6] InAs/GaAsサブモノレイヤー結晶成長の機構と制御

〇(M1)水野 皓登¹、Zhang Yuwei¹、神谷 格¹ (1.豊田工業大学)

キーワード：サブモノレイヤー

本研究では量子井戸島（QWI）構造の形状制御を目指し、InAs/GaAsサブモノレイヤー（SML）結晶成長法の機構を検討した。SML構造の積層回数が異なる試料をMBEで作製し、RHEED、AFM、PL測定を行った。積層回数の増加に伴いQWIの形状に変化が見られ、積層するにつれ歪が蓄積し成長過程が変化しているものと考えられる。