[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-12] ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTにおける成膜後水素アニールの効果

〇久保 俊晴¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：GaN、HEMT、ALD

GaN系パワーデバイスでは、ゲート絶縁膜の特性が重要である。今回、Al₂O₃成膜後に水素アニール処理を行い、ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性に及ぼす効果について評価を行った。MIS-HEMTの動的な閾値シフト(⊿V_th)およびゲートリーク電流(I_g)は700℃で⊿V_thは0.5 Vまで下がり、I_gは1×10^-6 mA/mmと良好な値を示した。