[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-20] イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討(2)

〇横山 太一¹、三輪 清允¹、岡田 浩¹、関口 寛人¹、山根 啓輔¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：窒化物半導体