[17p-P12-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[17p-P12-22] Influence of MOCVD reactor environment on AlGaN/GaN HEMT growth on Si

〇yuya yamaoka^1,2, Akinori Ubukata¹, Yoshiki Yano¹, Toshiya Tabuchi¹, Koh Matsumoto¹, Takashi Egawa² (1.Taiyo Nippon Sanso Corp., 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate, MOCVD

Si基板上AlGaN/GaN HEMTは高出力、低価格次世代パワーデバイスとして普及が期待されているが、Si基板等のヘテロ界面から発生する貫通転移由来の縦方向リーク電流がデバイス信頼性を損なう点が課題となっている。我々はこれまで、GaN/Si界面の成長プロセスとリーク電流の関係性について調査を行ってきた。その結果、成長初期層であるAlN核形成層の結晶品質との関係性が非常に強いことが明らかとなっている。加えて、洗浄残渣が検出されなかった炉内部品を使用して成長したAlN核形成層の結晶品質は洗浄残渣が検出された炉内部品の場合とくらべ改善することが明らかとなっている。そこで、本研究では洗浄残渣によるAlN核形成層結晶品質悪化の原因の追及するために、MOCVD炉に基板を搬入した時点の炉内環境とSi基板の表面状態との関係を調査した。