2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-P7-1~21] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月17日(土) 13:30 〜 15:30 P7 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-1] アルミニウム支援気相化学エッチングの加工特性の評価

米谷 玲皇1,2、奥野 将人2、割澤 伸一1,2 (1.東大院新領域、2.東大院工)

キーワード:アルミニウム支援気相化学エッチング、酸化シリコン、異方性高速化学エッチング

本研究では、Alを利用したSiO2の気相化学エッチングの加工特性の評価を行った。Al支援気相化学エッチングは、SiO2の高速な異方性エッチングを可能とする技術である。Alを用いない通常のフッ酸気相化学エッチングと比較して、16.9倍高速であった。また、そのエッチング速度は、Al 中の酸素含有量に依存する形となった。Al支援気相化学エッチングによるSiO2のエッチング特性について詳細に報告する。