The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17p-P7-1~21] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

Sat. Mar 17, 2018 1:30 PM - 3:30 PM P7 (P)

1:30 PM - 3:30 PM

[17p-P7-20] Embedding of CNM in fine pores using ethanol as a carbon source under supercritical carbon dioxide
-In the case of Fe catalyst-

Yudai Watanabe1, Atsushi Furukawa1, Yoshio Uhara1, Masatoshi Itou1, Shigeru Saitou1 (1.TUS)

Keywords:Supercritical carbon dioxide, Carbon nano-material

普及しているデバイスの高機能化にはLSIの高性能化が必要となる。それに伴い、使用されているTrの微細化が進むと、従来の銅配線ではEMを引き起こし、装置の信頼性が低下するという問題が発生する。CNTは、高い電流密度耐性を持つため、EMを克服した配線材料として注目されている。今回我々は使用する基板のボトムカバレッジ率を実験から求め、微細孔へのCNMの埋め込みを試みた。CNMの埋め込み時の圧力・基板温度の最適条件を報告する。