[17p-P7-1~21] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17p-P7-21] CNM embedded in Co/Al₂O₃/SiO₂ substrate for LSI submicron hole using supercritical ethanol

〇(B)Jun Owatari¹, Yuki Matsumae¹, Yoshio Uhara¹, Masatoshi Ito¹, Shigeru Saito¹ (1.TUS)

Keywords:supercritical ethanol, carbon nano material

近年のLSI集積化は、配線幅の微細化に伴い、高電流密度耐性を有するカーボンナノ材料（CNM)配線が期待されている。超臨界流体堆積法は超臨界流体の低粘度・高拡散性から、微細孔へ高濃度の炭素供給が可能であり、材料供給に期待できる。今回我々は、微細孔へのボトムカバレッジ率を実験より求め、超臨界エタノールを用いてSi基板上にある微細孔への埋め込みを試みた。CNMの埋め込み時の圧力・基板温度の最適条件を報告する。