[17p-P7-1~21] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-P7-20] 超臨界二酸化炭素下でのエタノールを炭素源とした微細孔へのCNMの埋め込み
―Fe触媒の場合―

〇渡辺 雄大¹、古川 篤¹、宇原 祥夫¹、伊藤 勝利¹、斉藤 茂¹ (1.東理大工)

キーワード：超臨界二酸化炭素、CNM

普及しているデバイスの高機能化にはLSIの高性能化が必要となる。それに伴い、使用されているTrの微細化が進むと、従来の銅配線ではEMを引き起こし、装置の信頼性が低下するという問題が発生する。CNTは、高い電流密度耐性を持つため、EMを克服した配線材料として注目されている。今回我々は使用する基板のボトムカバレッジ率を実験から求め、微細孔へのCNMの埋め込みを試みた。CNMの埋め込み時の圧力・基板温度の最適条件を報告する。