[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

[17p-P8-4] スパッタエピタキシー法を用いたSi/SiGe 正孔トンネル型RTDの作製技術と特性制御

〇脇谷 実¹、塚本 貴広¹、須田 良幸¹ (1.農工大院工)

キーワード：共鳴トンネルダイオード