The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[18a-B301-1~11] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Sun. Mar 18, 2018 9:00 AM - 12:00 PM B301 (53-301)

Nobuya Mori(Osaka Univ.), Takashi Hasunuma(Univ. of Tsukuba)

9:30 AM - 9:45 AM

[18a-B301-3] Effects of Heavy-ion irradiation on SOI-CMOS devices with SiGe for Source/Drain

Junichi Kaneyama1, Yan Wu1, Yoshihiro Takahashi1 (1.Nihon Univ.)

Keywords:parasitic bipolar effects

微細SOI-MOSFETにおいて発生する照射誘起寄生バイポーラ効果の抑制方法として,Source/Drain領域にSiGeを用いることが提案されている.本研究では,SiGeを導入したSOI-CMOS回路における重イオン照射効果について検討した.その結果,Ge濃度の増加に伴い出力反転時間が短縮されることをデバイスシミュレータにより確認した.