[18a-B301-1~11] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

△ [18a-B301-8] Molecuar dynamics simulation of solid phase epitaxy of Si

〇(M1C)Kayo Kohno¹, Manabu Ishimaru¹ (1.Kyutech)

Keywords:semiconductor, Molecuar dynamics simulation, solid phase epitaxy

Siの固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーションは、幾つかのグループによって行われているが、多くの研究は10⁴個以下の原子数で、100ns以下の時間スケールである。また、シミュレーションには主に体積一定の条件（NVTアンサンブル）が使用され、圧力一定の条件（NPT）での計算は少ない。本研究では、Si の固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーションを行い、系のサイズやアンサンブルの結晶化に及ぼす影響を調べた。