[18a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-C302-10] An etching of the n^--drift layer grown on the freestanding GaN substrate by a pulsed anodic oxidation

〇FUMIMASA HORIKIRI¹, YOSHINOBU NARITA¹, TAKEHIRO YOSHIDA¹ (1.Sciocs Co. Ltd.)

Keywords:GaN, anodic oxidation, etching

GaN は光アシストによる電気化学(PEC)エッチングにより、ウエットエッチングが可能である。しかし、サファイヤ基板上の報告が多く、自立基板上の報告、特にn^-ドリフト層に関するものは少ない。今回、転位密度10⁶ cm^-2 台の自立基板上に成長したn^-層について、パルス陽極酸化によるウエットエッチング行い、エッチングに必要な電荷量やエッチング面の粗さについて調査したので、その結果について報告する。