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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:15 C302 (52-302)

塩島謙次(福井大)

11:00 〜 11:15

[18a-C302-8] ITO/p-GaN界面への窒素ラジカル処理によるコンタクト特性の改善

〇山本拓司¹、白井雅紀¹、高澤悟¹、石橋暁¹ (1.アルバック)

キーワード：窒化ガリウム、コンタクト特性、窒素ラジカル