[18a-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-E201-10] InGaZnO_xヘテロチャネルによる薄膜トランジスタの高移動度・高信頼性化

〇(M1)東 龍之介¹、田中 宏怜¹、髙橋 誠一郎³、八島 勇³、古田 守^1,2 (1.高知工科大学、2.総研、3.三井金属鉱業株式会社)

キーワード：高移動度、IGZO、薄膜トランジスタ

我々は、In比を増加させたIGZO (High-In-IGZO) 薄膜トランジスタ(TFT)にて、チャネル成膜酸素流量比の増大及び膜厚低減(10 nm)により、従来組成のIn:Ga:Zn=1:1:1 atom.% (IGZO1114) (45nm)同等のしきい値電圧、約2倍の移動度(30 cm²/Vs)を実証した。しかしながらHigh-In-IGZO TFTは、バイアス温度ストレス(PBTS)信頼性試験にて、IGZO 1114 TFTと比較してしきい値電圧シフトが大きい課題があった。今回、In比の異なるIGZOを積層したヘテロ接合チャネルを用い、特性と信頼性の両立を試みた。