[18a-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-E201-11] FZ法を用いた透明導電性酸化物InGaZnO₄の大型バルク単結晶育成

〇田中 佑典¹、藤井 武則²、和田 一啓¹、清水 将乃斗¹、廣地 佑介¹、加瀬 直樹¹、田村 隆治³、サリーム デンホルム¹、君塚 昇⁴、宮川 宣明¹ (1.東理大理、2.東大低温セ、3.東理大基礎工、4.ソノラ大)

キーワード：IGZO、大型バルク単結晶育成、透明導電性酸化物

(InGaO₃)_m(ZnO)_n (IGZO) は薄膜研究が盛んであるが、バルク単結晶はサブミリオーダーの微結晶以外の報告は今までにはない。そこで、我々は高ガス圧FZ法を採用し結晶育成を行いInGaZnO₄単結晶の大型化を試みた。常圧下でInGaZnO₄の多結晶棒を用いて育成を試みた場合(InGaO₃)₂(ZnO)がメイン相である結晶が得られることが分かった。そのため、出発棒のZnO量を増加させ加圧下での結晶育成を試み、目的の単結晶InGaZnO₄の育成に成功した。この物質についての電気的、光学的特性を報告する。