[18a-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-E201-5] Ta₂O₅ゲート絶縁膜によるInGaZnO薄膜トランジスタの低電圧駆動

髙橋 崇典¹、宝賀 剛¹、宮永 良子²、藤井 茉美²、石河 泰明²、浦岡 行治²、〇内山 潔¹ (1.鶴岡高専、2.奈良先端大)

キーワード：薄膜トランジスタ、高誘電体ゲート

IGZOを活性層に用いた薄膜トランジスタ（TFT)において高誘電体Ta₂O₅薄膜をゲート酸化膜に用いることで、TFT性能の大幅な向上を実現した。特にS.S.は低減され動作電圧特性が大幅に改善された。μ_FEにおいてはTa₂O₅の適用によって約20%向上した。以上より、ゲート絶縁膜に高い絶縁性を有するTa₂O₅を適用することでIGZO-TFTの特性改善が可能であり、ゲートリーク電流の影響を無視した正確な特性が得られることが明らかとなった。