[18a-G203-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[18a-G203-10] n-ZnO/p-(Si, Ge) 積層型トンネル電界効果トランジスタの動作実証

〇加藤 公彦¹、松井 裕章¹、田畑 仁¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：トンネルFET、積層型、酸化亜鉛

本研究では、p-Siやp-Ge基板上に酸化亜鉛（ZnO）を堆積させることで積層型のトンネル電界効果トランジスタ（TFET）の作製を行い、初めての動作実証に成功した。SiやGeのソース材料の選択、ソース領域の不純物濃度の最適化、ゲートスタック構造作製プロセスの工夫などにより、8桁を上回る極めて大きなON/OFF電流比や、71 mV/dec.のサブスレショルドスロープ（S.S.）を達成した。