2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[18a-G203-1~10] 13.5 デバイス/集積化技術

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:15 G203 (63-203)

右田 真司(産総研)

12:00 〜 12:15

[18a-G203-10] n-ZnO/p-(Si, Ge) 積層型トンネル電界効果トランジスタの動作実証

加藤 公彦1、松井 裕章1、田畑 仁1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)

キーワード:トンネルFET、積層型、酸化亜鉛

本研究では、p-Siやp-Ge基板上に酸化亜鉛(ZnO)を堆積させることで積層型のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の作製を行い、初めての動作実証に成功した。SiやGeのソース材料の選択、ソース領域の不純物濃度の最適化、ゲートスタック構造作製プロセスの工夫などにより、8桁を上回る極めて大きなON/OFF電流比や、71 mV/dec.のサブスレショルドスロープ(S.S.)を達成した。