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[18a-G203-10] n-ZnO/p-(Si, Ge) 積層型トンネル電界効果トランジスタの動作実証
キーワード:トンネルFET、積層型、酸化亜鉛
本研究では、p-Siやp-Ge基板上に酸化亜鉛(ZnO)を堆積させることで積層型のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の作製を行い、初めての動作実証に成功した。SiやGeのソース材料の選択、ソース領域の不純物濃度の最適化、ゲートスタック構造作製プロセスの工夫などにより、8桁を上回る極めて大きなON/OFF電流比や、71 mV/dec.のサブスレショルドスロープ(S.S.)を達成した。