[18a-P8-1~4] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[18a-P8-3] Si/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

〇利根川 啓希¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工学院)

キーワード：半導体、共鳴トンネルダイオード