[18p-A202-1~15] デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望

△ [18p-A202-11] ソース/ドレイン逆凹型コンタクト構造による横型積層シリコンナノワイヤFETにおける自己発熱効果の緩和

〇安重 英祐¹、宗田 伊理也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大)

キーワード：ナノワイヤ、自己発熱効果

Gate-All-Around (GAA)構造のNanowire (NW) FETは、優れた静電特性を有するためサブ10ナノノード技術での利用が期待されている。しかしながら、GAA-NW FETやSOI技術の利用については自己発熱効果が深刻な問題となっている。本研究では、バルクフィン上の横型NW FETのソース/ドレイン部分に逆凹型コンタクト構造を用いることで自己発熱効果の低減について検討した。