[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

[18p-B203-13] Si基板上への電流注入型IV-VI族半導体中赤外レーザ作製に向けた半導体ヘテロ界面バンドオフセットの検討

〇石田 明広¹、山岸 寿来¹、稲葉 翔太¹、中嶋 聖介¹ (1.静岡大工)

キーワード：中赤外レーザ、IV-VI半導体、ヘテロ接合

Si基板上への電流注入型IV-VI族半導体中赤外レーザの開発にはIV-VI族半導体とSiの界面での低抵抗化やバンドオフセットの解明も必要である。Si/PbTe界面では、PbTeの伝導帯下端がSiの価電子帯上端より下に位置するタイプIIのヘテロ接合になると予想される。本講演では、Si/PbTe、Si/PbSやSi/SnTe界面の電流-電圧特性とヘテロ接合のバンドオフセットについて報告し、効果的なレーザ構造について議論する予定である。