The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[18p-B301-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Sun. Mar 18, 2018 1:00 PM - 3:45 PM B301 (53-301)

Koichiro Saga(Sony), Takashi Hasunuma(Univ. of Tsukuba)

3:30 PM - 3:45 PM

[18p-B301-10] Electrostatic Discharge Prevention in the Ultra-Pure Water Spray Cleaning of Semiconductor Chips using Induction Charging.
(2nd Report; Consideration with Position and Shape of an Inductive charge device)

Yoshiyuki Seike1, Hayato Watanabe1, Syogo Miyagawa1, Tatsuo Mori1, Taishi Segawa2, Yoshinori Kobayashi2, Keiji Miyachi2, Masahiko Amari2 (1.Aichi Inst. Tech., 2.Asahi Sunac)

Keywords:Electrostatic Discharge, semiconductor, Inductive charge device

近年、半導体デバイス製造において、純水スプレーによる洗浄工程が注目されている。純水スプレー洗浄は、比抵抗値の高い純水を霧化させる方法であるため、液滴の分裂帯電電で静電気が生じ、半導体デバイスに静電気障害ESD (Electrostatic Discharge)を生じさせる。対策として炭酸ガスを純水に混入させるが取られているが、純水を改質しない新たな方法が求められている。本報においては、誘導帯電素子の設置位置および形状が除電効果にどのような影響があるかを確認した。