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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2018年3月18日(日) 13:00 〜 15:45 B301 (53-301)

嵯峨幸一郎(ソニー)、蓮沼隆(筑波大)

13:15 〜 13:30

[18p-B301-2] SiO₂/Si構造の真空紫外光電子分光分析

〇今川拓哉¹、大田晃生¹、田岡紀之²、藤村信幸¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工、2.産総研 GaN-OIL)

キーワード：紫外光電子分光