[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-B301-5] パルス光伝導法によるシリコン酸化膜中の微量金属汚染評価

〇(M1)葛川 翔太郎¹、小野 貴寛¹、川野 達郎¹、松山 浩輝¹、小林 一博¹、久保田 弘¹、橋新 剛¹、吉岡 昌雄²、宮下 守也³、前田 貴弘³ (1.熊大院自、2.熊大工、3.グローバルウェーハズ・ジャパン)

キーワード：評価、汚染、シリコン

先端半導体デバイスにおいて、シリコンウェーハ中の金属汚染が電気特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば、イメージセンサでは極微量の金属汚染の影響で未受光にも関わらず電気信号を出力し、白キズとして認識されてしまう。デバイス形成領域の汚染を低減させる方法の一つとして、ウェーハ内のBMD（Bulk Micro Defect）によるゲッタリングが知られている。一方で、デバイス形成領域であるウェーハ表層の汚染を非破壊で高感度に分析する手法がないことが課題となっている。パルス光伝導法（PPCM）はウェーハ表層のシリコン酸化膜の電気伝導率を非破壊・非接触で測定するものであり、本手法によるBMDのゲッタリング能力評価を試みた結果を報告する。また、PPCMによる極微量の汚染評価に関して提案する。