The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[18p-B301-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Sun. Mar 18, 2018 1:00 PM - 3:45 PM B301 (53-301)

Koichiro Saga(Sony), Takashi Hasunuma(Univ. of Tsukuba)

3:15 PM - 3:30 PM

[18p-B301-9] Development of Alkaline Solution generated by Electrolysis of Organic Ammonium Salt for Wet and Cleaning Process in Semiconductor Manufacturing

Masaaki Hirakawa1, Hideaki Hirabayashi2, Yuji Nagashima3 (1.Toshiba, 2.Toshiba Materials, 3.Shibaura Mechatronics)

Keywords:hypochlorous acid, semiconductor

半導体製造の洗浄工程では,一般的にフッ酸や過酸化水素水に酸性やアルカリ性の物質を加えた洗浄液を用いて,レジストなどの有機物,金属,パーティクルなどを除去し,ウェーハを清浄化している.その洗浄液の1つにアルカリ性薬液のSC1(過酸化水素と水酸化アンモニウムの混合水溶液)がある.SC1はパーティクル除去を狙った洗浄液であるが,過酸化水素が分解しやすく,長時間の洗浄効果を保持できない.そこで,SC1と同等以上の洗浄効果と保存安定性を両立する薬液を開発するため,酸化力が高くアルカリ性で保存安定性が高い次亜塩素酸に着目し,これを含む新規のアルカリ薬液の生成について検討した.