[18p-C102-1~16] 6.3 Oxide electronics

△ [18p-C102-12] Fabrication of a three-valued memory device based on the switching of a standard electrode potential

〇(B)Yuki Watanabe¹, Ryota Shimizu^1,2, Kazunori Nishio¹, Issei Sugiyama¹, Wei Liu³, Satoshi Watanabe³, Taro Hitosugi¹ (1.Tokyo Tech., 2.JST-PRESTO, 3.Univ. Tokyo)

Keywords:multi-valued memory, interface, Li ion conductor

これまで、我々は異種金属間標準電極電位差を利用したメモリデバイス(VolRAM)を報告した。これはLi/Li₃PO₄/Auの積層構造であり、Li₃PO₄/Au界面でのLi-Au合金、脱合金反応による電位差変化がメモリ動作に対応している。Au電極では、Liと合金相を形成してしまい、Liイオンの挙動を理解することは難しい。本研究では、Liと合金を形成しないNiを用いて、動作メカニズムの検討を目指した。その結果、3つの異なる電位状態を保持できることを見出したので報告する。