[18p-C204-1~9] 二次元シート合成とプラズマプロセス～超薄膜から原子層まで～

[18p-C204-7] 格子整合条件を超えて原子平坦表面を実現する新規スパッタエピタキシー技術の開発～ZnO on sapphireを例に～

〇板垣 奈穂¹、岩崎 和也¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九大シス情)

キーワード：スパッタリング、ヘテロエピタキシー、逆Stranski-Krastanowモード

我々は最近，格子不整合度の大きいヘテロエピタキシーにおいて，成長初期に微量不純物を添加すると，結晶成長が3次元島状成長から2次元成長へ移行する新しい結晶成長モードをとることを発見した．本講演では，サファイア基板上に形成したZnO膜（格子不整合率18％）について上記モードでの結晶成長を観測し，最終的に原子平坦面を有する単結晶ZnO膜を形成した結果を中心に報告する