[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-C302-14] HVPE成長Ga₂O₃膜を用いて作製したGa₂O₃ trench MOSFET

〇佐々木 公平^1,2、ティユ クァン　トゥ¹、脇本 大樹^1,2、小石川 結樹^1,2、高塚 章夫¹、倉又 朗人^1,2、山腰 茂伸^1,2 (1.ノベルクリスタルテクノロジー、2.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、MOSFET、トレンチ