Initial trap and hysteresis analysis of Atomic Layer Deposited Al2O3 on b-Ga2O3

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2018年3月18日(日) 13:45 〜 19:00 C302 (52-302)

重川直輝(大阪市立大)、佐藤威友(北大)

17:45 〜 18:00

〇(M1)ChenYi Su¹、Takuya Hoshii¹、Iriya Muneta¹、Hitoshi Wakabayashi¹、Kazuo Tsutsui¹、Hiroshi Iwai¹、Kuniyuki Kakushima¹ (1.Tokyo Institute of Technology)

キーワード：Ga2O3, hysteresis, ALD