[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-C302-8] SiO₂/GaN MOSデバイスの信頼性向上に向けた界面酸化層の制御

〇山田 高寛¹、寺島 大貴¹、渡邉 健太¹、野崎 幹人¹、山田 永²、高橋 言諸²、清水 三聡²、吉越 章隆³、細井 卓治¹、志村 孝功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研、3.原子力機構)

キーワード：GaN、SiO2、熱処理