[18p-C304-1~11] Ge Technology - Electron / Photon / Phonon / Spin - Innovation of Group-IV Semiconductors -

[18p-C304-4] Conduction band structure modulation in Ultrathin Ge layer

〇Tatsuro Maeda¹, W. H. Chang¹, Toshifumi Irisawa¹, Hiroyuki Ishii¹, Hiroyuki Hattori¹, Noriyuki Unhid¹, Jun Yamaguchi² (1.AIST, 2.Keio Univ.)

Keywords:Ge, Band structure

最近、我々は10nm以下のUTB-GeOI構造で電子移動度が向上する効果を観測したが、光学測定と第一原理計算からUTB-GeOI構造のバンド構造について考察する。