[18p-D102-1~23] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[18p-D102-17] Complementary organic integrated circuit using SAM processing free polymer p-type Semiconductor

〇YASUNORI TAKEDA¹, Rei Shiwaku¹, Kazuma Hayasaka¹, Tomohide Murase², Hiroyuki Matsui¹, Tomohito Sekine¹, Daisuke Kumaki¹, Shizuo Tokito¹ (1.ROEL, Yamagata Univ., 2.Mitsubishi Chemical Corp.)

Keywords:printed, complementary, organic transistor

印刷法で作製されたp型とn型有機トランジスタを組み合わせて構成される相補型集積回路の実現は、電子回路の簡素化や低消費電力化が見込めるため、低コストRFIDタグやセンサーの実現に向けた重要な課題である。これまで、p型/n型OTFTのS/D電極にそれぞれ異なる電極表面処理（SAM処理）を行うために、p型/n型のS/D電極層を分離した積層構造で相補型集積回路を実現してきたが、プロセス数が増加してしまうという課題があった。本研究では、SAM処理不要な高分子p型半導体を用いることで、同一平面上へp型/n型のS/D電極層を形成し、プロセス数を低減することに成功したので報告する。