[18p-D102-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-D102-17] SAM処理不要なp型高分子半導体を用いた相補型有機集積回路

〇竹田 泰典¹、塩飽 黎¹、早坂 和将¹、村瀬 友英²、松井 弘之¹、関根 智仁¹、熊木 大介¹、時任 静士¹ (1.山形大ROEL、2.三菱ケミカル株式会社)

キーワード：印刷、相補型、有機トランジスタ

印刷法で作製されたp型とn型有機トランジスタを組み合わせて構成される相補型集積回路の実現は、電子回路の簡素化や低消費電力化が見込めるため、低コストRFIDタグやセンサーの実現に向けた重要な課題である。これまで、p型/n型OTFTのS/D電極にそれぞれ異なる電極表面処理（SAM処理）を行うために、p型/n型のS/D電極層を分離した積層構造で相補型集積回路を実現してきたが、プロセス数が増加してしまうという課題があった。本研究では、SAM処理不要な高分子p型半導体を用いることで、同一平面上へp型/n型のS/D電極層を形成し、プロセス数を低減することに成功したので報告する。