[18p-D103-1~23] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[18p-D103-10] Strength Analysis of Impurity-doped Si Wafers by HAS-model

〇kousuke Takata¹, Jun Fujise¹, Bonggyun Ko¹, Toshiaki Ono¹ (1.SUMCO)

Keywords:Silicon Wafer, Strength, Simulation

ボロンまたは赤燐を高濃度に添加したウェーハに三点曲げ試験を行い，上降伏点の違いについて調査した．ボロン添加では上降伏点の違いはわずかであったが，赤燐添加では大きく低下した．この現象をHASモデルを用いたシミュレーションによって解析し，上降伏点が変化するメカニズムについて考察した．