[18p-D103-1~23] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[18p-D103-20] Detection of non-radiative recombination level in UV-LED by irradiation of forbidden band excitation light.

〇Ken Matsuda¹, Norihiko Kamata¹, Dulal Haque¹, Ismail Hossain¹, Takeshi Fukuda¹ (1.Saitma Univ.)

Keywords:UV-LED, non-radiative recombination level

UV-LEDは従来のHgランプに対して小型で環境に優しく、長寿命、低電力化の可能性を持つ。近年の短波長化と効率改善に伴って殺菌・洗浄や微細加工等への応用が進められている。しかし高Al組成Al_xGa_1-xNの成長に伴い高密度な欠陥準位が発生し非発光再結合（NRR）準位として作用するため、素子効率、寿命共に未だ改善の余地が大きい。欠陥準位低減のため、禁制帯内励起（Below-Gap Excitation：BGE）光を用いた二波長励起PL法の原理に基づき、LED構造でNRR準位の検出を行った。