[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [18p-D103-5] 分子イオン注入エピウェーハの製品特性（５）
-3次元アトムプローブを用いたCH₃Oイオン注入ウェーハに形成される注入欠陥のゲッタリング挙動解析-

〇重松 理史¹、奥山 亮輔¹、廣瀬 諒¹、門野 武¹、小林 弘治¹、柾田 亜由美¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：ゲッタリング、アトムプローブ、イオン注入

我々はCMOSイメージセンサの高性能化のために、炭素、水素、酸素で構成された分子のイオン注入技術開発を開発した。これにより、(111)方向に拡張した積層欠陥が形成されることが知られている。3次元アトムプローブを用いた評価により、本欠陥には複数種の不純物原子が数珠状にゲッタリングされることが明らかとなった。この結果は単純なCottrellモデルでは説明できない。今回はこの欠陥のゲッタリング挙動の詳細に関して報告する。