5:15 PM - 5:30 PM
[18p-E202-15] Low temperature growth of GaN by reactive sputtering
Keywords:GaN, Sputtering, Low temperature
反応性スパッタ法によるGaNの低温成長について、下地となる基板とGaNの成長状態に関する考察を行う。
Oral presentation
15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals
Sun. Mar 18, 2018 1:15 PM - 7:30 PM E202 (57-202)
Tsutomu Araki(Ritsumeikan Univ.), Ryuji Katayama(Osaka Univ.), Hajime Fujikura(SCIOCS)
5:15 PM - 5:30 PM
Keywords:GaN, Sputtering, Low temperature