[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-15] 反応性スパッタ法によるGaNの低温成長

〇白井 雅紀¹、山本 拓司¹、高澤 悟¹、石橋 暁¹ (1.株式会社アルバック)

キーワード：GaN、スパッタリング、低温

反応性スパッタ法によるGaNの低温成長について、下地となる基板とGaNの成長状態に関する考察を行う。