[18p-F206-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[18p-F206-10] ダイヤモンドSchottky-pnダイオードの高電流密度領域における電気特性

〇小澤 直人^1,2、牧野 俊晴^1,2、加藤 宙光²、小倉 政彦²、竹内 大輔²、大串 秀世²、山崎 聡^1,2 (1.筑波大数理、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンドダイオード、空間電荷制限電流、オン抵抗

ダイヤモンドは、高い熱伝導率、絶縁破壊電界等を持つことから次世代のパワーデバイス材料として期待されている。これまでの研究でダイヤモンドschottky-pn ダイオードの順方向におけるオン抵抗は、低抵抗のp⁺ 層で決められるとされてきたが、ダイヤモンドの成膜技術の向上により、p⁺層の更なる低抵抗化とn層の厚膜化が可能になったことで、n層の膜厚依存性が観測された。空間電荷制限電流と考えられる特徴が得られたので報告する。