2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[18p-F206-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

2018年3月18日(日) 13:45 〜 18:00 F206 (61-206)

吉武 剛(九大)、梅沢 仁(産総研)

16:30 〜 16:45

[18p-F206-11] ダイヤモンドショットキーPNダイオードの低温動作

高倉 健一郎1、登田 晃浩1、松木 賢斗1、松本 翼2、徳田 規夫2 (1.熊本高専、2.金沢大学)

キーワード:ダイヤモンド、ショットキーPNダイオード、低温動作

ダイヤモンドの整流素子として提案されているショットキーPNダイオードの低温電気特性を評価した。素子はホウ素を高濃度(2×1020 cm-3)に添加したp形ダイヤモンドllb基板上にマイクロ波プラズマCVD法で窒素添加N形層を堆積し、Niにてショットキー接合を形成した。素子の電気特性を評価したところ、17Kまで冷却後も良好な整流特性を保持し、108もの高いon/off比を示した。