[18p-F206-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-F206-12] Cascode Diamond p-FETを用いた相補型高電圧スイッチング回路

〇(B)山本 あおい¹、畢 特¹、牛 俊雄¹、工藤 拓也¹、大井 信敬¹、大久保 智¹、稲葉 優文⁴、佐々木 敏夫²、平岩 篤⁴、川原田 洋^1,2,3 (1.早大理工、2.NTRC、3.早大材研、4.名大未来材料研)

キーワード：ダイヤモンド、パワーデバイス、回路

我々は2次元正孔ガス（2DHG）をキャリアとしたダイヤモンドMOSFETを作製し、低耐圧ノーマリオフシリコンp-FETとCascode接続することでノーマリオフ化を実現、1.7 kVを超える高い絶縁破壊電圧を報告した。ダイヤモンドは高耐圧p-FETにおいて現在最も優れており、既存の高耐圧n-FETとの相補型インバータ回路はこれまでにない高速低損失な電力スイッチングが可能である。当日はCascodeダイヤモンドp-FETとCascode GaN n-FETを用いた、-200V~+200Vの高電圧スイッチング動作を報告する。