2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[18p-F206-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

2018年3月18日(日) 13:45 〜 18:00 F206 (61-206)

吉武 剛(九大)、梅沢 仁(産総研)

17:15 〜 17:30

[18p-F206-13] Vessel Gateを用いたダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのpH Sensing

井山 裕太郎1、五十嵐 圭為1、モフドスクリ シャイリ1、新谷 幸弘1,2、川原田 洋1,3 (1.早大理工、2.横河電機、3.早大材研)

キーワード:ISFET、ダイヤモンド、pHセンサ

ダイヤモンドは表面修飾性に富み、広い電位窓からバイオセンサに適している。我々はこれまでに、電解質溶液内にてゲート絶縁膜なしで動作するダイヤモンド電解質溶液ゲートFET(SGFET)の電気特性を報告してきた。本研究では、ガラス電極に代わる全固体ガラスレスpH センサ実現のため、参照電極(Ag/AgCl)を用いずに、ステンレス製容器(Vessel Gate)を電極として用いた。Vessel Gateを用いることで全固体ガラスレスpH Sensingが可能になり、食品業界等への応用が期待される。