[18p-F206-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

[18p-F206-2] Characterization of defects on diamond PiN junction by electron beam induced current

〇Hitoshi Umezawa^1,3, Takehiro Shimaoka², Satoshi Koizumi², Etienne Gheeraert³, Fabrice Donatini³, Toshiharu Makino¹, Yoshiaki Mokuno¹ (1.AIST, 2.NIMS, 3.Inst.Neel/CNRS)

Keywords:diamond, PiN diode, EBIC measuerment

ダイヤモンドは大きいバンドギャップ、高い飽和速度やキャリア速度、高い絶縁破壊電界、物質中最大の熱伝導率や耐放射線性などの類まれな物性値より、次々世代パワーデバイスや耐環境素子用半導体材料として期待されている。これまでパワーデバイス応用を目指して各種ダイオードやスイッチング素子が報告され、高い絶縁破壊電界や順方向電流密度などの基本特性が示されている。しかし、いずれの試作素子においてもその素子性能は理想性能に到達しておらず、その原因としてダイヤモンド中の欠陥やプロセス起因の劣化が示唆されていた。そこで本研究では、上記劣化影響を評価するため、PiNダイオードを用いてEBIC評価を行った。