[18p-F206-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

△ [18p-F206-8] Evaluation of high frequency performance of ALD-Al₂O₃ 2DHG diamond MOSFET for high power at high voltage operation

〇(B)Shoichiro Imanishi¹, Nobutaka Oi¹, Takuya Kudo¹, Satoshi Okubo¹, Kiyotaka Horikawa¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada^1,2 (1.Sci. Eng. Waseda Univ., 2.KMLMST)

Keywords:diamond, high frequency, FET

ダイヤモンドは高周波・高出力デバイスとして期待されている。2次元正孔ガス(2DHG)を利用したダイヤモンドFETの高周波動作時の出力特性において、GaAs FETやLDMOSを超える出力密度の報告がなされているが、動作電圧20V程度であるため、動作電圧の向上により、更なる高出力化が期待できる。本研究では、高出力化に向け、優れた絶縁破壊電圧を有するALD-Al₂O₃ 2DHGダイヤモンドMOSFETの高周波特性を高電圧動作(V_DS = -100 V)にてダイヤモンドでは初めて評価した。