[18p-F206-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-F206-8] 高出力化に向けたALD-Al₂O₃ 2DHG ダイヤモンドMOSFETの高電圧動作における高周波特性評価

〇(B)今西 祥一朗¹、大井 信敬¹、工藤 拓也¹、大久保 智¹、堀川 清貴¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、高周波、FET

ダイヤモンドは高周波・高出力デバイスとして期待されている。2次元正孔ガス(2DHG)を利用したダイヤモンドFETの高周波動作時の出力特性において、GaAs FETやLDMOSを超える出力密度の報告がなされているが、動作電圧20V程度であるため、動作電圧の向上により、更なる高出力化が期待できる。本研究では、高出力化に向け、優れた絶縁破壊電圧を有するALD-Al₂O₃ 2DHGダイヤモンドMOSFETの高周波特性を高電圧動作(V_DS = -100 V)にてダイヤモンドでは初めて評価した。