[18p-G203-1~18] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[18p-G203-17] Data Compression Technique for Reliability Enhancement of TLC NAND Flash Memory

〇Yoshiaki Deguchi¹, Hikaru Watanabe¹, Ken Takeuchi¹ (1.Chuo Univ.)

Keywords:TLC NAND flash memory, data compression, reliability

SSDなどに広く用いられているTLC NAND型フラッシュメモリでは、1セルに3ビットを保存することで大容量化を実現しているが、信頼性低下が問題となっている。そこで、データにエラーが発生しにくくなるよう、データを変調してTLC NAND型フラッシュメモリに保存する技術が提案されてきている。本講演では、このようなデータの高信頼化をデータ圧縮と同時に実現する手法の提案を行う。