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[18p-G203-5] Electrical characteristics of La2O3/Si MOSFETs with ferroelectric-type hysteresis
Keywords:semiconductor
我々は、ALD La2O3/InGaAs MOS構造が強誘電体型(反時計回り)のヒステリシスを示し、La2O3/InGaAs MOSFETでは、低温で従来のMOSFETの限界値より小さなS.S.が得られることを報告した 。しかしながらこのヒステリシスの起源として、強誘電性に加えイオンドリフトの影響の可能性もある。そこで本研究では、電気特性が比較的理解しやすいLa2O3/Si MOS構造およびMOSFETを作製し、そのC-V特性やId-Vg特性などを、異なる温度で評価することにより、ヒステリシスの起源および動作原理の解明を試みた。